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跨界碳化硅的企業(yè)有哪些？

除了Wolfspeed，美國還有哪些企業(yè)在碳化硅領(lǐng)域布局？

碳化硅的市場潛力還遠(yuǎn)未被挖掘

殲-20換裝SiC雷達(dá)？

碳化硅外延很重要！

瑞薩電子（Renesas）已決定終止其碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)計(jì)劃，原定于2025年量產(chǎn)的產(chǎn)品將不再推進(jìn)。

國際碳化硅巨頭Wolfspeed陷破產(chǎn)危機(jī)。

國產(chǎn)碳化硅外延設(shè)備發(fā)展情況分析。

天岳先進(jìn)又有新合作！

浙江晶瑞電子材料有限公司年產(chǎn)60萬片8英寸碳化硅襯底片切磨拋產(chǎn)線項(xiàng)目的備案公示。

杰立方半導(dǎo)體（香港）有限公司提交的新型工業(yè)加速計(jì)劃申請已獲評委會(huì)支持。該項(xiàng)目計(jì)劃在香港建立第三代半導(dǎo)體碳化硅晶圓生產(chǎn)設(shè)施。

國研院國儀中心與鼎極科技合作，開發(fā)雷射研磨技術(shù)，解決碳化硅（SiC）晶圓制程遇到的成本、效率與良率瓶頸。

晶盛機(jī)電子公司浙江晶瑞SuperSiC在馬來西亞檳城州隆重舉行新制造工廠奠基儀式

瞻芯電子、中導(dǎo)光電、安森美等多項(xiàng)合作。

爍科晶體年產(chǎn)100萬毫米碳化硅單晶項(xiàng)目啟動(dòng)！

天岳先進(jìn)宣布已經(jīng)開始向日本市場批量供應(yīng)碳化硅襯底材料。

天域半導(dǎo)體更新招股書！

聞泰科技董事會(huì)“換血” 旨在聚焦半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。

廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司正式通過境外發(fā)行上市及“全流通”備案。

兩家企業(yè)分別獲國際大獎(jiǎng)。

深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司正式向香港聯(lián)交所遞交主板上市申請書。

晶越半導(dǎo)體研制出高品質(zhì)12英寸SiC晶錠。

日本化學(xué)公司Resonac和日本東北大學(xué)一直在探索使用由硅晶片制造過程中產(chǎn)生的污泥和二氧化碳制成的SiC粉末作為生長功率半導(dǎo)體用SiC單晶材料的原材料。

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室聚焦于SiC激光剝離新技術(shù)的研發(fā)，再取得突破。

中宜創(chuàng)芯宣布成功將碳化硅粉體純度突破8N，粉體純度提升至8N8（99.9999998%），刷新全球行業(yè)紀(jì)錄。

SiC外延缺陷控制技術(shù)新突破。

三家企業(yè)布局12英寸碳化硅。

俞寶清——《晶圓邊緣輪廓與缺陷檢測技術(shù)及裝備》報(bào)告。

張澤芳-《碳化硅CMP材料的整體解決方案》報(bào)告。

南京大學(xué)修向前教授--《大尺寸激光切片設(shè)備與工藝技術(shù)研究》報(bào)告。

李輝報(bào)告—《液相法生長立方碳化硅和P型碳化硅》。

西安交大陳雪江副教授—《SiC晶體外延生長微觀機(jī)理研究》

安徽芯塔電子科技有限公司高級(jí)市場經(jīng)理周駿峰將帶來《車用SiC功率器件技術(shù)與市場前景探討》的報(bào)告。

液相法碳化硅晶體生長態(tài)勢及產(chǎn)業(yè)化。

挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存 ——碳化硅材料市場發(fā)展現(xiàn)狀及展望。

青禾晶元半導(dǎo)體科技(集團(tuán))有限責(zé)任公司劉福超——?jiǎng)⒏３瑢怼冻妥杼蓟桄I合集成技術(shù)應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)化》報(bào)告。

硅早已是大多數(shù)電子應(yīng)用中的關(guān)鍵半導(dǎo)體材料，但與碳化硅（SiC）晶片相比，則顯得效率低下。碳化硅晶片現(xiàn)在已開始被多種應(yīng)用采納，特別是電動(dòng)汽車，以應(yīng)對開發(fā)高效率和高功率器件所面臨的能源和成本挑戰(zhàn).碳化硅晶片由純硅和碳組成，與硅相比具有三大優(yōu)勢：更高的臨界雪崩擊穿場強(qiáng)、更大的導(dǎo)熱系數(shù)和更寬的禁帶。碳化硅晶

全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體材料及器件正處于快速發(fā)展期，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于5G通信、軌道交通、新能源汽車及充電樁、新能源、儲(chǔ)能、大數(shù)據(jù)中心、工控等下游領(lǐng)域。其中，半絕緣型碳化硅襯底主要應(yīng)用于5G通信、雷達(dá)系統(tǒng)、導(dǎo)引頭、衛(wèi)星通信、戰(zhàn)機(jī)等領(lǐng)域，具有提升射頻范圍、超遠(yuǎn)距離識(shí)別、抗干擾以及高速、大容量信息傳遞等應(yīng)用優(yōu)勢，被

碳化硅單晶生長爐產(chǎn)品優(yōu)勢高度自動(dòng)化程序，減少人工操作能靈活改動(dòng)溫場，滿足晶體長大、長快、長厚要求內(nèi)置感應(yīng)線圈，提高耦合效率，更低能耗金屬真空腔室，更安全耐用產(chǎn)品概述天科合達(dá)目前已經(jīng)開發(fā)出了第五代SiC單晶生長爐，該生長爐為我司自主研發(fā)設(shè)計(jì)制造。爐體采用單室立式雙層水冷不銹鋼結(jié)構(gòu)，爐子整體結(jié)構(gòu)由真空系

◆設(shè)備采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可方便切換晶體生長尺寸和石英腔室冷卻方式；◆全金屬密封結(jié)構(gòu)可以降低漏率；◆旋轉(zhuǎn)液動(dòng)力的冷卻方式提升了冷卻均勻性；◆高精度控溫控壓及遠(yuǎn)程監(jiān)控技術(shù)進(jìn)一步提升了設(shè)備自動(dòng)化程度。

天岳先進(jìn)不斷追求更高的晶體質(zhì)量和加工質(zhì)量更好的滿足客戶的需求目前可批量供應(yīng)6英寸產(chǎn)品8英寸產(chǎn)品正在研發(fā)中基本信息導(dǎo)電型晶型4H直徑（mm）150偏角（°）4厚度（μm）350表面狀態(tài)Epi-ready

碳化硅單晶爐PVT碳化硅SiC單晶爐主要用于6英寸碳化硅SiC單晶材料的生長，碳化硅具有高臨界擊穿電場、高電子遷移率的優(yōu)勢，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，也是目前綜合性能最好、商品化程度最高、技術(shù)最成熟的第三代半導(dǎo)體材料。第三代功率半導(dǎo)體器件已經(jīng)在智能電網(wǎng)、電動(dòng)汽車、軌道交

我公司提供4寸、6寸高純半絕緣碳化硅單晶，可根據(jù)客戶需求的具體參數(shù)定制，包括尺寸要求和缺陷參數(shù)等，具體要求請與我公司銷售部門聯(lián)系。

根據(jù)客戶生產(chǎn)的碳化硅晶體類型，可以提供原材料的定制服務(wù)，晶體原材料的規(guī)格和技術(shù)要求，請與我公司銷售部門聯(lián)系。

高純碳化硅粉一、產(chǎn)品簡介：通過自主研發(fā)的碳化硅原料提純工藝，可在氣氛中對碳化硅進(jìn)行升華、冷凝、提純，能有效降低原料粉末中的雜質(zhì)，通過工藝條件的調(diào)整，將3N的原料提純至5N、6N不同級(jí)別的碳化硅粉料產(chǎn)品。二、產(chǎn)品參數(shù)：規(guī)格：3N（99.9%）、5N（99.999%）、6N（99.9999%）粒徑：10