中國粉體網訊 據晶越半導體官微宣布，公司繼2025年上半年成功量產8英寸碳化硅襯底后，公司持續投入并不斷加大研發力度，并在熱場設計、籽晶粘接、厚度提升以及缺陷控制方面不斷調整和優化工藝，在7月21日研制出高品質12英寸SiC晶錠，標志晶越成功進入12英寸SiC襯底梯隊。也標志著晶越半導體成為國內少數掌握大尺寸碳化硅晶體生長核心技術的企業之一。
浙江晶越半導體有限公司成立于2020年7月，位于浙江省紹興嵊州市經濟開發區，主要聚焦于6-8英寸導電型碳化硅襯底材料的研發、生產與銷售。
▶2020年6月，當地市經開區與溢起投資合伙企業、高冰博士團隊在上海正式簽署“晶越碳化硅晶圓項目”三方投資協議書。該項目共分三期，總投資達100億元，一期投產后將具備月產1500片碳化硅晶圓能力；
▶2021年7月，浙江紹興市生態環境局受理晶越碳化硅項目環評文件。據介紹，該項目一期擬投資約1.35億元，年產1.2萬片6英寸SiC晶片。
▶2022年6月，晶越半導體完成完成B輪融資，領投方為紅杉資本等，此輪融資估值達1.35億元。
當前，12英寸碳化硅晶圓的研發突破與規模化生產能力，已成為評估第三代半導體產業綜合競爭力的核心指標，這一趨勢正驅動著眾多行業廠商加速布局該領域。目前國內已成功研制12英寸碳化硅襯底的主要企業：
天岳先進
2025年3月25日在上海舉辦的亞洲化合物半導體大會上，天岳先進攜全球首發的全系列12英寸碳化硅襯底產品登場，包括12英寸高純半絕緣型碳化硅襯底、12英寸導電P型及12英寸導電N型碳化硅襯底。其中，12英寸高純碳化硅襯底、12英寸P型碳化硅襯底為全球首展。
在產品方面，12英寸產品，在產品面積上較8英寸持續擴大，單片晶圓芯片產出量躍升2.5倍，尺寸擴大有效降低單位成本，是行業發展的必然趨勢。應用領域方面，天岳先進表示碳化硅產品的技術裂變也將助力新能源汽車、光伏儲能、智能電網、5G基站等多種高壓應用場景，催生AR眼鏡、衛星通信及低空經濟等多重新興領域蓬勃發展，助力萬物互聯時代的算力革命。
爍科晶體
2024年12月26日，山西爍科晶體有限公司成功研制出12英寸（300mm）高純半絕緣碳化硅單晶襯底，并同期研制成功12英寸（300mm）N型碳化硅單晶襯底。這是全球首次實現300 mm半絕緣SiC晶圓，標志著超大尺寸SiC晶體生長和缺陷控制取得突破。
目前該公司12英寸襯底仍處于實驗室樣品階段，但這一里程碑式成果表明其在大直徑晶體擴徑工藝、低缺陷密度生長等方面達到國際先進水平，為后續產業化奠定了基礎。
天科合達
天科合達在上海 Semicon China 2025展會上舉行新品發布儀式，正式推出了12英寸“熱沉級”碳化硅襯底（heat sink級襯底）等多款創新產品。目前，12英寸產品處于研發/試產階段，公司計劃2025年下半年推出12英寸光學級SiC襯底產品，并于2026年實現8英寸光學級襯底的小批量量產，用于AR光波導等新興領域。
同光半導體
同光半導體在12英寸產品方面尚在研發驗證階段，SEMICON China展會上展示了直徑12英寸的導電型SiC晶錠（高度20+ mm）和10英寸導電型襯底樣品。此前2023年已拉制出8英寸導電型晶體樣品，8英寸襯底技術攻關取得進展。
目前，同光股份已建成從原料合成、晶體生長、襯底加工，到晶片檢測國際先進，完整的碳化襯底生產線。同光股份下設三個工廠：保定同光晶體工廠，淶源工廠，保定同光新材料工廠，總計規劃70萬片產能，其中保定同光新材料工廠只啟用了一期，總計有超過100萬片產能的空間。
晶盛機電
2025年5月12日，晶盛機電子公司浙江晶瑞Super SiC宣布，成功實現12英寸導電型碳化硅（SiC）單晶生長，首顆晶體直徑達309mm且質量完好。
浙江晶瑞SuperSiC基于自主研發的SiC單晶生長爐以及持續迭代升級的8-12英寸長晶工藝，經過多年的技術攻關，創新晶體生長溫場設計及氣相原料分布工藝，成功攻克12英寸SiC晶體生長中的溫場不均、晶體開裂等核心難題，實現了12英寸超大尺寸晶體生長的重要突破。當前12英寸晶體尚處研發試制階段，但該突破將有助于降低未來晶圓制造成本，推動國產SiC材料在功率電子等領域的規模化應用。
南砂晶圓
2025年5月8日，南砂晶圓在重慶舉行的行業大會上首次公開展示了12英寸導電型碳化硅襯底實物，成功攻克大尺寸碳化硅襯底制備難題。
同時，南砂晶圓還成功實現了近“零螺位錯”密度和低基平面位錯密度的8英寸導電型4H-SiC單晶襯底制備。12英寸襯底的成功展示標志公司研發步入新的臺階，雖然仍屬樣品階段，但為后續大尺寸襯底的產業化奠定了堅實基礎。
來源：晶越半導體
