中國粉體網訊 碳化硅（SiC）作為第三代半導體的核心材料，其晶圓尺寸的演進一直是產業降本增效的關鍵路徑。當前產業動態呈現出“6英寸主流、8英寸過渡、12英寸突破”的階梯式發展格局，技術迭代速度遠超預期。
浙江晶瑞：實現12英寸導電型碳化硅（SiC）單晶生長
5月12日，晶盛機電子公司浙江晶瑞Super SiC宣布，成功實現12英寸導電型碳化硅（SiC）單晶生長，首顆晶體直徑達309mm且質量完好。
浙江晶瑞首顆12英寸導電型碳化硅（SiC）單晶
浙江晶瑞SuperSiC基于自主研發的SiC單晶生長爐以及持續迭代升級的8-12英寸長晶工藝，經過多年的技術攻關，創新晶體生長溫場設計及氣相原料分布工藝，成功攻克12英寸SiC晶體生長中的溫場不均、晶體開裂等核心難題，實現了12英寸超大尺寸晶體生長的重要突破。
浙江晶瑞SuperSiC始終專注于碳化硅、藍寶石等化合物半導體材料的研發生產與銷售，致力于為功率半導體器件提供高品質的襯底和熱沉材料。目前，公司自主研發的8英寸碳化硅襯底已實現批量生產，其8英寸導電型碳化硅襯底，憑借微管密度（MP<0.05ea/cm2）和位錯密度（TSD<10ea/cm2, BPD<300ea/cm2）的低缺陷技術指標，成為高壓功率器件的理想選擇。
南砂晶圓：發布12英寸導電型SiC襯底
近日，南砂晶圓展示了12英寸導電型SiC襯底等重點產品。
值得注意的是，南砂晶圓還成功實現了近“零螺位錯”密度和低基平面位錯密度的8英寸導電型4H-SiC單晶襯底制備。這一技術進步不僅提升了產品的可靠性和性能，也為國產8英寸導電型襯底的產業化進程奠定了堅實基礎。
2018年，依托山東大學晶體材料國家重點實驗室徐現剛教授團隊的技術成果，南砂晶圓于廣州市南沙區注冊成立。目前擁有廣州、中山、濟南三大生產基地，形成了完整的碳化硅單晶生長和襯底制備生產線，產品還包括6英寸和8英寸的導電型和半絕緣型碳化硅襯底。
山東力冠：加速攻關12英寸液相法SiC長晶設備
近日，山東力冠在12英寸SiC長晶爐領域取得了重要突破。公司公開表示，已攻克12英寸PVT電阻加熱長晶爐的研發難關，并于近期完成首批兩臺設備的交付。同時，該公司正加速攻關12英寸液相法SiC長晶設備。隨著12英寸電阻法長晶系統的商業化突破，山東力冠計劃在2025年實現12英寸設備的批量供貨，助力國產碳化硅材料進入全球供應鏈第一梯隊。
公司自主研發的8英寸PVT碳化硅長晶爐已實現批量銷售，涵蓋感應加熱與電阻加熱兩種技術路線，可靈活適配導電型與半絕緣型碳化硅晶體的生長需求。
山東力冠自成立以來，始終聚焦半導體材料工藝裝備的研發與生產。公司研發團隊匯聚了半導體材料、熱場設計、精密加工等領域的專家型人才，形成了覆蓋第一代至第四代半導體材料工藝裝備的完整產品線，包括PVT單晶生長設備、HVPE設備、SiC籽晶粘接設備等核心產品。
來源：各企業官微
（中國粉體網編輯整理/空青）
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