中國粉體網訊 據Resonac官網消息，日本化學公司Resonac和日本東北大學一直在探索使用由硅晶片制造過程中產生的污泥和二氧化碳制成的SiC粉末作為生長功率半導體用SiC單晶材料的原材料。
近年來，氣候變化的影響日益嚴峻，自然災害頻發。為此，世界各國紛紛加強對溫室氣體排放的監管。減少并有效利用CO2已成為全球性挑戰，尤其在制造業中，降低生產過程中的CO2排放是一項迫切任務，同時廢料回收也面臨迫切需求。其中，半導體和太陽能電池板生產不可或缺的硅晶片，在切割過程中會產生大量作為工業廢料的硅污泥，亟需對其進行回收利用。為應對這些挑戰，Resonac 與東北大學于2024年啟動了一項基礎性研究，旨在利用硅污泥和CO2開發作為關鍵原料的SiC粉末，并將其應用于功率半導體所需的SiC單晶生長。該技術被稱為“礦化”的碳循環技術。
硅污泥和CO2回收過程的示意圖
據研究人員稱，如果這項技術成功商業化，SiC功率半導體不僅有助于產品節能，還可以減少制造過程中的CO2排放、硅污泥和CO2的回收，以及在其整個生命周期內全面減少對環境的影響。他們估每100噸SiC粉末的減排效果將達到相當于110噸CO2。預計這將為進一步推廣和廣泛采用SiC功率器件做出重大貢獻，從而實現節能和CO2減少。
目前，該團隊已經完成了這個基礎研究階段，并已開始針對實際應用的全面研究。在基礎研究中，東北大學在其碳回收示范研究中心使用微波通過加熱硅污泥和CO2合成了SiC粉末，而Resonac則致力于將SiC粉末應用于SiC單晶襯底。
Resonac正在加速推進8英寸碳化硅（SiC）晶圓的產業化。Resonac子公司Resonac Corporation已開始在日本山形縣東根市的山形工廠建造碳化硅晶圓（襯底及外延）新生產大樓，奠基儀式已于2024年9月12日舉行。該新工廠預計將于2025年第三季度完工?；诖藬U產項目，Resonac將在2025年開始量產8英寸碳化硅襯底。
此外，Resonac憑借在SiC單晶襯底上形成SiC外延層的技術優勢，擁有非常可觀的SiC外延片市場份額，并向高端市場供應SiC外延片。近年來，Resonac還成功開發了生產8英寸大直徑SiC外延片的技術，這項“礦化”技術，對供應鏈和減輕環境負擔都有重大影響。
來源：Resonac官網
（中國粉體網編輯整理/空青）
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