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熱絲CVD化學氣相沉積原理

熱絲CVD采用高溫下的低壓氣相反應,碳氫化合物在高溫下發生化學反應,生成膜先驅物,當樣品溫度合適時,這些膜先驅物在樣品表面沉積形成金剛砂膜。低壓化學氣相沉積形成的膜層厚度及成分較為均勻,膜層致密。

CVD化學氣相沉積的基本特征為:

1.產生化學變化(化學反應或熱分解);

2.膜中所有材料都來源于外部的源;

3.反應物必須以氣相形式參與反應

化學氣相沉積是以化學反應方式制作薄膜。其原理是將含有制膜材料的反應氣體通到基片上,在基片上發生化學反應形成薄膜,對CVD薄膜生成過程,可以定性地歸結為:反應氣體通到基片上后,反應氣體分子被基片表面吸附,并在基片表面上產生化學反應,形成核,然后反應生成物脫離基片表面,并沿基片表面不斷擴散形成薄膜。

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1.真空系統:國產優質真空泵和閥門管道。極限真空1pa以下;

2.真空測量:國產優質電阻規(0.1-105pa)和薄膜規(13-13300pa)。測量精度高,重復性好;

3.氣體流量控制:國產流量計。氫氣流量2000ml/min,甲烷流量100ml/min。氫氣流量50ml(摻硼用)。可根據要求定制流量計。

4.壓控系統:壓控范圍0.5-6kpa。控制精度±10pa。

5.熱絲電源:國產優質直流電源。根據鍍膜產品客戶選型號的電源。電源控制精度±10w。

6.控制程序:公司自主開發的鍍膜程序。可實現一鍵鍍膜功能。程序對水壓,水流,水溫,氣壓等參數進行監控和判斷,超過報警值后,程序會停機保護設備。


熱絲CVD設備應用領域

熱絲cvd金剛石沉積技術適合制備金剛石厚膜和涂層。相較于直流電弧cvd和微波等離子體cvd技術,熱絲CVD技術制備的金剛石膜透明性不足,但是該技術鍍膜面積大,單爐產量多;設備結構簡單,穩定,適合自動化生產。

目前熱絲cvd設備可在硬質合金刀具、硅、鈮、鉭、碳化硅、等材料上鍍金剛石膜。

金剛石涂層刀具應用于空航天、新能源、電子電路,精密加工領域,可用于石墨模具,石墨極板,陶瓷牙齒,5G線路板,鋁合金,碳纖維等的加工制造。

碳化硅上沉積金剛石膜用于提高器件的耐磨性,延長使用時間。用于易磨損的模具、動密封件。

摻硼導電金剛石膜常鍍在硅、鈮、鉭材料上。利用金剛石的高氧化電位、耐酸堿腐蝕等特點,氧化液體中的有害物質,檢測液體成分。應用于污水處理,水質凈化,生物檢測等領域。


泰科諾  2025-08-19  |  閱讀:209
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