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碳化硅激光垂直剝離設備
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| 品牌: | 北京晶飛 |
| 產地: | 北京 |
| 關注度: | 942 |
| 型號: | 碳化硅激光垂直剝離設備 |
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加工材料 SiC晶錠
切割尺寸(inch) 4/6/8/
**切割厚度(mm) 50
材料損耗 100-160um
切割效率(min) 6寸:15-25 8寸:35-45
重復定位精度(μm) ±0.5
長寬高(mm) 1770×1720×1985
加工工藝
碳化硅激光垂直剝離設備采用的加工工藝是使用激光剝離取代傳統的線切割模式
加工效果
| 剝離后6英寸半絕緣晶錠與晶圓 | 垂直剝離后8英寸導電型晶錠與晶圓 |
技術規格
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北京晶飛半導體科技有限公司為您提供北京晶飛碳化硅激光垂直剝離設備,碳化硅激光垂直剝離設備產地為北京,屬于半導體行業專用儀器,除了碳化硅激光垂直剝離設備的參數、價格、型號、原理等信息外,還可為您提供全自動碳化硅激光垂直剝離產線。
工商信息
企業名稱
北京晶飛半導體科技有限公司
企業類型
信用代碼
91110105MACRU63W4G
法人代表
注冊地址
成立日期
注冊資本
有效期限
經營范圍


