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山東中臨半導體新材料有限公司成立于2023年3月,注冊資本4666萬元人民幣，建筑面積3.8萬平方米，立項總投資12億元(分二期完成)。項目達產后，實現年產值5億元，稅收2500萬元。是國內**的第三代半導體用戰新材料、國家高新技術及軍民融合企業，公司主要研發、生產、銷售航空航天用氮化硅、氮化鋁、氮化硼粉體及制品。企業通過了國軍標GJB9001B武器裝備質量管理體系認證。公司與清華大學材料學院、山東大學材料科學與工程學院開展深入的產學研合作，自主研發的高壓等離子(物化)緩控自蔓延合成法工藝技術，是國內**家、全球第四家掌握該核心技術的企業；自主研發的氮化硅粉體用高壓等離子（物化）緩控自蔓延生產