 天科合達(dá) |
參考報(bào)價(jià)：電議 型號(hào)：4英寸半絕緣型襯底
產(chǎn)地：北京 在線(xiàn)咨詢(xún)
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4英寸半絕緣型襯底
技術(shù)成果
零微管密度控制技術(shù)
單一晶型控制技術(shù)
包裹物控制技術(shù)
電阻率控制技術(shù)
雜質(zhì)調(diào)控技術(shù)
襯底臺(tái)階寬度控制技術(shù)
| 直徑 | 99.5 mm-100.0 mm | |
| 晶型 | 4H | |
| 厚度 | 500 μm±15 μm | |
| 晶片方向 | 無(wú)偏轉(zhuǎn)角度：向<0001>偏轉(zhuǎn) ± 0.5° | |
| 微管密度 | ≤ 1 cm-2 | |
| 電阻率 | ≥ 1 E10 Ω·cm | |
| 主定位邊方向 | {10-10} ±5.0° | |
| 主定位邊長(zhǎng)度 | 32.5 mm ± 2.0 mm | |
| 次定位邊長(zhǎng)度 | 18.0 mm ± 2.0 mm | |
| 次定位邊方向 | 硅面朝上：從主定位邊順時(shí)針旋轉(zhuǎn) 90° ± 5.0° | |
| 邊緣去除 | 3 mm | |
| 局部厚度變化/總厚度變化/彎曲度/翹曲度 | ≤2.5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | |
| 表面粗糙度 | 拋光 Ra≤ 1 nm | |
| CMP Ra≤ 0.2 nm | ||
| 邊緣裂紋（強(qiáng)光燈觀測(cè)） | —— | |
| 六方空洞（強(qiáng)光燈觀測(cè)） | 累計(jì)面積 ≤ 0.05% | |
| 多型（強(qiáng)光燈觀測(cè)） | —— | |
| 目測(cè)包裹物（日光燈觀測(cè)） | 累計(jì)面積 ≤ 0.05% | |
| 硅面劃痕（強(qiáng)光燈觀測(cè)） | —— | |
| 崩邊（強(qiáng)光燈觀測(cè)） | 不允許寬度≥ 0.2 mm，深度≥ 0.2 mm | |
| 硅面污染物（強(qiáng)光燈觀測(cè)） | —— | |
| 包裝 | 多片卡塞/單片盒包裝 | |
半絕緣碳化硅襯底是半絕緣碳化硅晶體經(jīng)過(guò)切割、研磨、拋光、清洗等工序加工形成的單晶薄片。單晶襯底薄片作為第三代半導(dǎo)體的重要原材料，經(jīng)過(guò)異質(zhì)外延生長(zhǎng)、器件制造等環(huán)節(jié)，可制成碳化硅基射頻器件，是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料。為滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)4英寸產(chǎn)品的需求，公司為國(guó)內(nèi)外客戶(hù)批量提供具有高性?xún)r(jià)比的4英寸半絕緣型襯底產(chǎn)品。
下游產(chǎn)品與應(yīng)用
通過(guò)在半絕緣型碳化硅襯底上生長(zhǎng)氮化鎵異質(zhì)外延層，制得碳化硅基氮化鎵外延片，通過(guò)晶圓制造、封裝檢測(cè)，可進(jìn)一步制成微波射頻器件，主要應(yīng)用于射頻領(lǐng)域，例如5G通訊、相控陣?yán)走_(dá)、無(wú)線(xiàn)電探測(cè)器等。
