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北京天科合達半導體股份有限公司
  • 天科合達
    參考報價:電議
    型號:6英寸導電型襯底
    產地:北京
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  • 詳細介紹:



    產品規格書

    車規級(Z級)

    研發型(D級)

    直徑149.5 mm-150.0 mm
    晶型4H
    厚度350 μm±15 μm
    晶片方向偏轉角度:向<11-20>偏轉4.0±0.5°
    微管密度≤0.2 cm-2
    電阻率0.015-0.024 Ω·cm
    主定位邊方向{10-10} ±5.0°
    主定位邊長度47.5 mm±2.0 mm
    邊緣去除3 mm
    局部厚度變化/總厚度變化/彎曲度/翹曲度≤2.5 μm/≤6 μm/≤25 μm/≤35 μm
    表面粗糙度拋光 Ra≤ 1 nm
    CMP Ra≤ 0.2 nm
    邊緣裂紋(強光燈觀測)——
    六方空洞(強光燈觀測)累積面積 ≤ 0.05%
    多型(強光燈觀測)——
    目測包裹物(日光燈觀測)累積面積 ≤ 0.05%
    硅面劃痕(強光燈觀測)——
    崩邊(強光燈觀測)不允許寬度≥ 0.2 mm,深度≥ 0.2 mm
    穿透螺位錯≤ 500 cm-2
    硅面污染物(強光燈觀測)——
    包裝多片卡塞 / 單片盒包裝