中國粉體網訊 2025年8月21日，由中國粉體網主辦的“第三代半導體SiC晶體生長及晶圓加工技術研討會”在蘇州·白金漢爵大酒店隆重召開！本屆會議匯聚碳化硅產業鏈各個環節的專家學者、技術人員、企業界代表共計300余人，圍繞著碳化硅單晶生長技術發展、晶體加工技術進展及設備應用、碳化硅產業發展趨勢等方面進行了深入探討交流，共同展望了行業未來發展。
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簽到現場
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會議現場
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中國粉體網會展事業部總經理孔德宇先生主持開幕式
會議精彩報告環節
陳雪江副教授介紹了碳化硅晶體生長技術研究現狀，基于SiC晶體外延生長中微觀原子的動力學過程，陳教授利用蒙特卡羅（KMC）模型研究了3C-SiC臺階生長的過程，并對臺階流動生長穩定性機制研究進行了介紹，對影響臺階生長模式的因素作了分析。
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西安交通大學能源與動力工程學院副教授陳雪江作《3C-SiC晶體臺階生長微觀機理研究》報告
史冬梅研究員介紹了近年來美國、歐盟、日本、韓國等發達國家和地區在半導體特別是第三代半導體碳化硅技術領域的發展戰略、科技計劃項目部署及國家技術創新平臺建設等相關政策。梳理了主要國家和地區碳化硅半導體材料、外延及器件的技術和產業化進展情況，并對碳化硅半導體技術發展態勢作了展望。
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國家自然科學基金委員會高技術研究發展中心研究員、原技術總師史冬梅作《碳化硅半導體技術和產業發展現狀及態勢》報告
周駿峰經理聚焦當下中國新能源汽車的市場背景，從材料價格、封裝技術到產品應用等方面分析了碳化硅功率器件的市場應用進展，并展示芯塔電子在該領域的創新實踐。
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安徽芯塔電子科技有限公司高級市場經理周駿峰作《車用SiC功率器件市場分析與展望》報告
劉曉星經理從碳化硅襯底分類、碳化硅單晶生長工藝、襯底晶片加工工藝及襯底尺寸發展等方面介紹了碳化硅單晶襯底的發展現狀，隨后分別對導電N型襯底和高純半絕緣襯底的市場應用現狀作了分析。
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山西爍科晶體有限公司市場經理劉曉星作《碳化硅單晶襯底材料的發展及展望》報告
俞寶清總經理從晶圓襯底生產工藝的角度出發，介紹了倒角工藝在晶圓襯底制備中的作用，并對晶圓輪廓所具備的特性作了分析，講述了晶圓邊緣輪廓的檢測方法和手段，最后展示了蘭辰光電在該領域的技術突破及公司產品市場應用情況。
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寧波蘭辰光電有限公司總經理兼技術總監俞寶清作《晶圓邊緣輪廓與缺陷檢測技術及裝備》報告
大尺寸半導體單晶具有超硬/超脆的特點，切磨拋加工困難，損耗大，成本高，如何提高質量、產片率是行業發展重點。修向前教授在報告中介紹了幾種常用的碳化硅切片加工技術和新型切割技術，并將線切割和激光切割技術進行了對比，詳細闡述了激光切割技術在碳化硅單晶切割中的應用現狀以及技術進展，最后介紹了目前其團隊在半導體單晶（單晶/多晶金剛石、氮化鎵、氧化鎵）激光切割技術的研究進展。
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南京大學修向前教授作《大尺寸半導體單晶激光切片技術研究》報告
超低阻碳化硅鍵合集成技術是第三代半導體領域的重要創新。劉福超副總經理介紹了超低阻碳化硅鍵合技術的基礎原理和特點，并舉例詳細說明了超低阻碳化硅鍵合材料應用的5大優勢。隨后闡述了碳化硅鍵合材料在散熱、光學等領域的應用進展，最后介紹了青禾半導體在該領域的產業化進展情況。
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青禾晶元半導體科技(集團)有限責任公司聯合創始人&副總經理劉福超作《超低阻碳化硅鍵合集成技術應用與產業化》報告
王巍介紹了碳化硅功率器件和碳化硅襯底的市場進展情況，指出碳化硅市場所面臨的內卷、降本、產品升級和地緣關系等四大痛點，介紹了近年全球碳化硅行業的局勢變化，分析了國內外碳化硅襯底、器件的產能、價格變動等概況。隨后羅列了全球碳化硅襯底廠商12英寸技術進展，分享了碳化硅未來的新興應用領域，特別是AR眼鏡，最后對碳化硅產業未來發展作了展望。
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河北同光半導體股份有限公司銷售副總王巍作《挑戰與機遇并存--碳化硅材料市場發展現狀及展望》報告
全自動碳化硅晶片腐蝕爐在碳化硅晶體缺陷檢測行業具有重要作用。趙聰經理簡單介紹了碳化硅材料發展概況，分享了碳化硅晶片腐蝕的原理、應用及缺陷檢測方法。最后展示了晶馳機電研發的“全自動碳化硅腐蝕爐”的實踐案例及產品亮點。
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杭州晶馳機電有限公司研發經理趙聰作《全自動碳化硅晶片腐蝕爐在碳化硅晶體缺陷檢測行業的應用》報告
蔣志強總監揭示了碳化硅行業所面臨的痛點，闡述了溶液法生長碳化硅單晶技術的發展態勢及產業化進展。隨后介紹了臻晶半導體在溶液法生長碳化硅單晶產業進展概況及設備研發進展。最后分析了溶液法生長碳化硅單晶產業化的關鍵問題，并提出解決對策。
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常州臻晶半導體有限公司總經理陸敏（蔣志強代）作《液相法碳化硅晶體生長態勢及產業化》報告
張澤芳總經理詳細介紹了半導體襯底加工工藝發展概況，分享了碳化硅的CMP機制，針對碳化硅襯底加工特點，介紹了博來納潤碳化硅襯底CMP加工工藝及相關產品。
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浙江博來納潤電子材料有限公司總經理張澤芳博士作《碳化硅CMP材料的整體解決方案》報告
陳飛簡單介紹了碳化硅行業概況，分析了碳化硅加工場景中遇到的問題，指出碳化硅加工過程出現問題中很大部分出現在冷卻液環節，并分享了采用宇佳智能整套過濾方案來解決冷卻液穩定性問題，并展示了公司的整體過濾方案的過濾效果及客戶使用案例。
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江蘇宇佳智能裝備有限公司執行董事陳飛作《提高SiC晶體研磨效率和表面質量》報告
展會現場精彩一瞬
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展會現場
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參會人員面對面交流
（16英寸碳化硅襯底，日本廠商提供）
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參展部分產品
小結
本屆會議充分體現了業界對SiC半導體材料與器件技術發展的高度關注和迫切需求。未來，隨著產學研協同創新的深化，期待業界同仁攜手共進，攻克技術難關，優化制造工藝，降低成本，共同推動中國第三代半導體產業邁上新臺階，為全球綠色能源轉型和信息技術發展做出更大貢獻。
（中國粉體網蘇州報道/空青）
