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公司簡介
山東中臨半導體新材料有限公司成立于2023年3月,注冊資本4666萬元人民幣,建筑面積3.8萬平方米,立項總投資12億元(分二期完成)。項目達產(chǎn)后,實現(xiàn)年產(chǎn)值5億元,稅收2500萬元。是國內(nèi)**的第三代半導體用戰(zhàn)新材料、國家高新技術(shù)及軍民融合企業(yè),公司主要研發(fā)、生產(chǎn)、銷售航空航天用氮化硅、氮化鋁、氮化硼粉體及制品。企業(yè)通過了國軍標GJB9001B武器裝備質(zhì)量管理體系認證。公司與清華大學材料學院、山東大學材料科學與工程學院開展深入的產(chǎn)學研合作,自主研發(fā)的高壓等離子(物化)緩控自蔓延合成法工藝技術(shù),是國內(nèi)**家、全球第四家掌握該核心技術(shù)的企業(yè);自主研發(fā)的氮化硅粉體用高壓等離子(物化)緩控自蔓延生產(chǎn)
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