「特點速覽」
穩定可靠: 80年頂尖技術傳承。
獨家采用 CeB6 晶體燈絲: 3000 h 超長使用壽命，平均 5 年換燈絲。
面向工業 4.0 的自動化與 AI 智能掃描電鏡：開放編程接口，打造定制化的“黑燈實驗室”檢測流程，支持 Maps 地圖式多模態、多維度自動拼圖及關聯。
不挑安裝環境：內置專利減震系統，可直接放置于生產車間、高樓層 QC 實驗室等。
原廠集成能譜 EDS：從電子光學設置、圖像采集到能譜分析和面分布，都在同一個統一、直觀的界面中完成。卓越的低電壓成像功能：對于不導電、導電性差、以及電子束敏感樣品，不噴金，仍具有卓越的成像能力。
01
80 年頂尖技術傳承
01飛利浦時期（1939-1996）
起源：1939 年，Le Poole 提出電子顯微鏡構想，1944 年成功開發 150kV 電子顯微鏡，奠定技術基礎。
發展：1949 年推出第一臺商業化電鏡 EM100。后續不斷推出創新產品，如 1972 年進入 SEM 市場，推出 PSEM500。
02FEI 時期 (1996-2016)
合并：1997 年，飛利浦電子光學業務與 FEI 合并，獲得 ESEM 技術，技術實力增強。
創新：2006 年推出全球首臺桌面型掃描電鏡--飛納（Phenom World），首次使用 1500h 長壽命 CeB6 燈絲。
03賽默飛時期（2016-至今）
收購：2016 年，FEI 被賽默飛收購。2018 年 Phenom World 被賽默飛收購，正式更名為 Thermo Scientific 品牌。
傳承與發展：技術上繼承 FEI 創新成果，繼續提升性能，目前除了 CeB6 燈絲系列，還有臺式場發射電鏡系列，公安法醫等特定領域專用電鏡，產品線豐富，型號達數十種。
飛納電鏡從飛利浦到賽默飛，歷經近 80 年技術沉淀，從最初的構想與商業化，到不斷的技術創新與突破，始終在電子顯微鏡領域保持領先地位。
02
3000h CeB6 晶體燈絲
平均 5 年更換燈絲
擁有超長壽命核心部件，獨家采用 3000 小時高亮度六硼化鈰（CeB?）燈絲，平均 5 年更換燈絲，確保設備 7×24 小時連續運行，減少維護頻率和持有成本，讓產線或實驗室長期穩定運行無憂。
03
AI 智能掃描電鏡
面向工業 4.0 的自動化
從裝樣到出圖，僅需 1 分鐘，高測試效率，操作員無需漫長等待，檢測通量比傳統電鏡提升 5-10 倍，極大加速了 QC 判斷和研發迭代。
01“深度集成，隨需而變”
開放的自動化接口，提供 Python 腳本控制 (PPI)，可以無縫集成到客戶現有的自動化產線和 LIMS 系統中。精準的自動化馬達臺，結合軟件腳本，一次可容納 36 個樣品，打造“無人值守的質檢工廠”，自定義設定程序，在夜間或休息時間對大批量樣品進行自動拍照和分析，最大化設備利用率。
02“一張圖看全貌，多點分析無遺漏”
在晶圓、濾膜、金屬斷口等大樣品上，自動獲取全景高清圖，并對預設的關鍵點位進行高倍率分析，確保檢測無死角。
03從“看”到“算”
專業的自動化分析軟件，ParticleMetric (顆粒統計)、FiberMetric (纖維統計) 等專用軟件。自動化完成需要人工數小時才能完成的顆粒度、形貌、尺寸分布等統計工作，輸出標準化報告，實現真正的量化品控。
04
不挑安裝環境
內置專利減震系統，超強的環境適應性
內置專利減震系統，對安裝環境要求低，無需防震臺，可直接放置于生產車間、樓層 QC 實驗室等，甚至可以車載，野外場景使用。節省實驗室改造費用，真正做到“買得起，更能用得好”。
飛納電鏡曾經參與冰島火山口、西班牙無人島等科學研究項目，是適用于最惡劣環境的便攜掃描電鏡。科研人員采集樣本回到帳篷中，利用飛納電鏡來確定樣本的化學構成，極大地提高了樣本采集和分析的效率。
05
原廠集成能譜 EDS
完全集成能譜探測器，所有操作：從電子光學設置、圖像采集到能譜分析和面分布，都在同一個統一、直觀的界面中完成。
01ChemiSEM 彩色成像技術
形貌圖像和元素數據實時同步，無縫調用。用戶可以在觀察形貌的同時，即時進行點、線、面分析，無需任何數據導入導出的步驟。
02Phase Mapping 相分析軟件
專有的在線相分析軟件模塊 (Phase Mapping)，利用強大的算法，根據每個像素點的元素定量結果，自動識別、分類并標定出不同的“相”或“化合物”。
06
卓越的低電壓成像功能
PhenomXL G3 配備了全新升級真空設計和背散射探測器 (BSD)，優化了低電壓下的靈敏度，提升了總體的信噪比 (S/N)，對于不導電、導電性差、以及電子束敏感樣品，可以使用更低的束流進行拍攝，提升分辨率的同時，降低荷電效應帶來的影響。
由于整體信噪比的提升，我們可以使用更短的采集時間采集同樣質量的照片，在自動化工作流程中，高通量照片拍攝的總效率平均提升 30%。
電子陶瓷
放大倍數：1,000X
5kV，未噴金，背散射電子像
觀測到陶瓷內晶粒大小和空隙
CMOS 探測器
放大倍數：5,000X
2kV，二次電子像
可以清晰看到像素單元及表面污染物
歡迎聯系我們了解更多產品信息和獲取報價
