中國粉體網訊 近日，中國科學院和中國工程院分別公布2025年院士增選有效候選人名單的公告。中國科學院有效候選人639人，中國工程院有效候選人660人。在這份名單中，包含長期深耕于金剛石及半導體領域的學者，研究方向涉及單晶金剛石生長、超寬禁帶半導體電子學等前沿領域。
哈爾濱工業大學朱嘉琦：研究團隊長期圍繞功能光電薄膜及晶體、金剛石生長及應用等技術領域開展研究工作，相關研究成果處國際前列國內領先水平。團隊在金剛石成工藝、金剛石高導熱及半導體器件應用等方面成果斐然，取得了顯著進展。
圖源：哈爾濱工業大學復合材料與結構研究所
西安電子科技大學張進成：研究方向聚焦于超寬禁帶半導體電子學（涵蓋氧化鎵、金剛石、氮化鋁等）、寬禁帶半導體電子學（如氮化鎵等）以及大功率射頻芯片與電力電子芯片。近年來，團隊在超寬禁帶半導體研究領域取得一系列突破性成果，例如金剛石場效應晶體管在柵長為2μm時，仍能保持400mA/mm的高電流密度，并可在200°C環境下穩定工作。
哈爾濱工業大學武高輝：團隊首創的大氣環境下金屬基復合材料浸滲、成型、界面反控制同步制造技術，實現了低成本、綠色化制造的金剛石/鋁和金剛石/銅超高導熱復合材料及凈成型構件，成功解決了高功率器件的散熱問題，為多項“國之重器”解決了材料急需。
華僑大學徐西鵬：研究方向為“硬脆材料先進加工科學與技術”，重點探索“半導體材料精密超精密磨粒加工新技術”。目前，徐西鵬主持國家自然科學基金重點項目“晶圓級單晶金剛石襯底的活性硬質磨粒協同加工原理與關鍵技術研究”。
金剛石具有寬帶隙、極高硬度、超高導熱率、低熱膨脹、強抗輻射及耐酸堿能力，且在寬光譜范圍內透光率高，使其成為極具潛力的半導體材料，在紫外/高能粒子探測、同位素電池、激光器、高頻高功率器件、太空領域用半導體器件等方面不斷取得技術突破并展示出了巨大的應用潛力。我國在寬禁帶半導體領域已經取得了顯著進展，突破了國際封鎖，實現了設備自主可控，對產業升級及下一代半導體領域實現彎道超車有著重要作用。
參考來源：
1.中國科學院、中國工程院、磨料磨具
2.趙璐冰等：超寬禁帶半導體材料發展現狀與展望
（中國粉體網編輯整理/石語）
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